2SJ01640RA
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2SJ01640RA参数：JFET P-CH 65V 20MA NS-B1

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：5,000
系列：-
包装：带盒（TB）
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：600µA @ 10V
漏源极电压 (Vdss)：-
漏极电流 (Id) - 最大值：20mA
FET 类型：P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1.5V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10pF @ 10V
电阻 - RDS（开）：300 欧姆
安装类型：通孔
封装：3-SIP
供应商器件封装：NS-A1
功率 - 最大值：300mW