1N6012B-TP
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1N6012B-TP参数：DIODE ZENER 33V 500MW DO35

类别：分立半导体产品-单二极管/齐纳
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：33V
容差：±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 25V
功率 - 最大值：500mW
阻抗（最大值）(Zzt)：88 欧姆
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.5V @ 100mA
安装类型：通孔
封装：DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：DO-35
工作温度：-65°C ~ 200°C